A High-Temperature, High-Voltage SOI Gate Driver IC with High Output Current and On-Chip Low-Power Temperature Sensor
![चित्र 1.4-9 में प्रदर्शित संधारित्रों का संयोजन एक अनंत विस्तार की सीढ़ी बनाता है। A और B के बीच तुल्य धारिता ज्ञात करे यदि C(1)=1muF तथा C(2)=2muF. चित्र 1.4-9 में प्रदर्शित संधारित्रों का संयोजन एक अनंत विस्तार की सीढ़ी बनाता है। A और B के बीच तुल्य धारिता ज्ञात करे यदि C(1)=1muF तथा C(2)=2muF.](https://d10lpgp6xz60nq.cloudfront.net/physics_images/SMA_HIN_PHY_XII_P2_U7_C01_4_SLV_018_S01.png)
चित्र 1.4-9 में प्रदर्शित संधारित्रों का संयोजन एक अनंत विस्तार की सीढ़ी बनाता है। A और B के बीच तुल्य धारिता ज्ञात करे यदि C(1)=1muF तथा C(2)=2muF.
![The resistance of the meter bridge AB in given figure is 4 Omega .With a cell of emf epsilon=0.5 V and rheostat resistance R(h) = 2 Omega the null point is obatined The resistance of the meter bridge AB in given figure is 4 Omega .With a cell of emf epsilon=0.5 V and rheostat resistance R(h) = 2 Omega the null point is obatined](https://d10lpgp6xz60nq.cloudfront.net/physics_images/JMA_2019_PC_IEH_11_JAN_I_E01_020_Q01.png)